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还在寻找一颗能在紧凑空间内扛起高效开关重任的“得力干将”吗？DMN10H170SVT-13正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和2.6A的连续电流能力，凭借其卓越的160毫欧低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。

它采用先进的TSOT-26微型封装，非常适合空间受限的现代电子设计。优异的栅极特性（Qg仅9.7nC）让您能够轻松实现高速、高效的开关控制，简化驱动电路设计。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，DMN10H170SVT-13都能以稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的产品在各种环境下都可靠运行，助您轻松打造更具市场竞争力的高效解决方案。

• 型号:DMN10H170SVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN10H170SVT-13，Diodes产品一站式供应商。