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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与高集成度的功率开关解决方案吗？DMN10H170SVT-7正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有100V的漏源电压和2.6A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的160毫欧导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的MOSFET技术，具备快速的开关速度和低栅极电荷，让您轻松实现高效率的高频开关操作。其紧凑的TSOT-26表面贴装封装，为您在空间受限的设计中提供了极大的灵活性。无论是用于提升便携设备的续航，还是强化工业设备的可靠性，它都能以卓越的电气性能和坚固性，成为您设计中值得信赖的功率核心。

• 型号:DMN10H170SVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1167 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN10H170SVT-7，Diodes产品一站式供应商。