我们为全球各个行业提供Diodes DMN10H700S-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为小空间内的功率控制寻找高效解决方案吗？DMN10H700S-7正是您需要的答案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和700mA电流处理能力，能以极低的700毫欧导通电阻，让您的电路损耗大幅降低，效率显著提升。

它专为要求严苛的应用而生。其汽车级（AEC-Q101）认证和宽达-55°C至150°C的工作结温，让您轻松应对汽车电子或工业环境中的振动与高低温挑战。超低的栅极电荷和输入电容，意味着您可以用更小的驱动电流实现快速开关，简化外围设计。采用微型SOT-23封装，为您节省每一寸宝贵的电路板空间，是实现高密度、高性能设计的理想选择。

• 型号:DMN10H700S-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN10H700S-7，Diodes产品一站式供应商。