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还在为空间有限的PCB板上寻找高性能的功率开关而烦恼吗？DMN12M7UCA10-7双N沟道MOSFET阵列正是为您解忧的利器。它能轻松驾驭高达20.2A的连续电流，并以极低的导通电阻（最低仅2.75mOhm）大幅减少功率损耗，直接提升您的系统整体能效，让设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片专为高效开关应用而生，其标准FET功能与宽电压范围（BVDSS 8V-24V）使其成为电池管理、负载开关和DC-DC转换等场景的理想选择。采用先进的表面贴装封装，它不仅节省空间，更能让您高效完成高密度电路板设计，加速产品开发进程。

• 型号:DMN12M7UCA10-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X4-DSN3015-10
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20.2A X4-DSN3015-10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.2A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.75mOhm @ 6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 1.11mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:10-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X4-DSN3015-10
• DMN12M7UCA10-7，Diodes产品一站式供应商。