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还在寻找一颗能同时解决空间与效率难题的功率开关方案吗？DMN13M9UCA6-7双N沟道MOSFET阵列正是您的理想答案。它将两个高性能开关集成于一个超微型的X3-DSN3518-6封装内，让您能在指甲盖大小的空间里，轻松实现复杂的电源路径管理和负载开关功能，极大释放您的PCB设计潜力。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够用更简单的电路，高效地控制设备中不同模块的供电通断。其低栅极阈值电压特性，允许它直接被微控制器的GPIO口驱动，省去额外的驱动电路，不仅节省成本，更提升了系统可靠性。无论是用于便携设备的节能开关，还是信号链路的精准切换，它都能以出色的性能，确保您的产品运行更流畅、续航更持久。

• 型号:DMN13M9UCA6-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X3-DSN3518-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3315pF @ 6V
• 功率 - 最大值:2.67W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-SMD，无引线
• 供应商器件封装:X3-DSN3518-6
• DMN13M9UCA6-7，Diodes产品一站式供应商。