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还在寻找一颗能平衡性能、效率与尺寸的MOSFET吗？DMN15H310SE-13正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有150V耐压和7.1A强劲电流输出能力，其核心魅力在于低至310毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的电源或电机驱动方案的整机效率。

它采用紧凑的SOT-223封装，让您在有限的板级空间内也能实现高性能布局。更令人惊喜的是，它仅需5V电压即可高效驱动，让您的电路设计更加简洁。无论是用于提升适配器能效，还是优化电机控制响应，DMN15H310SE-13都能让您轻松实现更高效、更可靠的产品设计目标。

• 型号:DMN15H310SE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta），7.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• DMN15H310SE-13，Diodes产品一站式供应商。