我们为全球各个行业提供Diodes DMN2004DMK-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的电路板空间和能效优化头疼吗？让DMN2004DMK-7双N沟道MOSFET阵列成为您的得力助手！这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的信号路径切换与低功率负载控制。其逻辑电平门特性（Vgs(th)最大仅1V）意味着您可以直接用微控制器的GPIO口驱动，无需额外电路，大大简化设计。

凭借20V的耐压和540mA的持续电流能力，配合低至550毫欧的导通电阻，它能显著降低开关损耗，提升系统整体效率。无论是用于便携设备的电源管理、传感器接口切换，还是驱动小型执行机构，DMN2004DMK-7都能以极高的可靠性（工作温度范围-65°C至150°C）和微小的SOT-26封装，帮助您打造更紧凑、更节能的下一代产品。

• 型号:DMN2004DMK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 540mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150pF @ 16V
• 功率 - 最大值:225mW
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
• DMN2004DMK-7，Diodes产品一站式供应商。