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还在寻找那颗能点亮您微型设备设计灵感的“心脏”吗？DMN2005LP4K-7正是为您而来。这颗超小型N沟道MOSFET，专为空间受限的便携式和物联网设备量身打造，它能以极高的效率执行关键的功率开关任务。

它能让您轻松实现电路的通断控制，其低至1.5V的驱动电压与主流微控制器完美匹配，极大简化了您的驱动电路设计。同时，优异的导通特性和低功耗表现，直接助力延长终端产品的电池续航，让您的设计更高效、更具市场竞争力。选择它，就是为您的精巧创意选择了一个强大而可靠的执行伙伴。

• 型号:DMN2005LP4K-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 10mA，4V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:41 pF @ 3 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN2005LP4K-7，Diodes产品一站式供应商。