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还在寻找那颗能同时兼顾高效率与小体积的功率开关吗？DMN2005UFG-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达18.1A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅4.6毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，直接为您带来更低的发热和更高的系统能效。

它能让您轻松驾驭同步整流、电机控制、负载开关等高要求应用。其优化的栅极电荷和低阈值电压，让驱动变得简单高效，即使在高频开关下也能保持出色的性能。采用先进的PowerDI3333-8封装，在提供强大功率处理能力的同时，最大限度地节省了电路板空间，是您设计紧凑型、高性能消费电子和工业设备的理想选择。

• 型号:DMN2005UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:164 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6495 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.05W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN2005UFG-7，Diodes产品一站式供应商。