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还在为功率转换效率低下和散热问题头疼吗？DMN2005UPS-13正是您期待的答案。这颗20V/20A的N沟道MOSFET，凭借其低至4.6毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

它能让您的设计轻松应对大电流挑战。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，其优异的开关特性（低栅极电荷）和PowerDI5060紧凑封装，都让您能在节省宝贵PCB空间的同时，实现稳定可靠的高性能功率控制。选择它，就是选择了一条通往更高效、更紧凑产品设计的捷径。

• 型号:DMN2005UPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5337 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMN2005UPS-13，Diodes产品一站式供应商。