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还在为电源转换效率的瓶颈而烦恼吗？DMN2008LFU-7双N沟道MOSFET阵列就是您的高效解决方案。它集成了两个性能一致的MOSFET，拥有仅5.4毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达14.5A的连续电流，凭借20V的漏源电压和优化的开关特性（低至42.3nC的栅极电荷），实现快速、高效的功率切换。无论是提升便携设备的续航，还是强化工业设备的可靠性，它都能胜任。其紧凑的6-UFDFN表面贴装封装，更为您节省宝贵的电路板空间，助力设计更轻薄、更高效的产品。

• 型号:DMN2008LFU-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2030-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 5.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42.3nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1418pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2030-6（B 类）
• DMN2008LFU-7，Diodes产品一站式供应商。