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还在为寻找一颗既能承载大电流又足够小巧高效的MOSFET而烦恼吗？DMN2010UDZ-7正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET集成了两个高性能通道，凭借仅7毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换效率大幅提升，同时其11A的强劲电流能力确保动力输出源源不断。

它采用先进的U-DFN2535-6封装，体积纤薄，让您能在极其有限的空间内实现高功率密度设计。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，DMN2010UDZ-7都能让您的系统运行得更凉爽、更安静、更持久。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMN2010UDZ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2535-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:24V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 5.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2665pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2535-6
• DMN2010UDZ-7，Diodes产品一站式供应商。