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您正在设计新一代高效能、小体积的电子产品吗？DMG3420U-7正是为您而来的功率开关利器。这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压与5.47A的强大电流处理能力，而其导通电阻低至惊人的29毫欧，能显著降低开关损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它专为简化您的设计而优化：仅需1.8V的低驱动电压即可高效开启，轻松兼容各类低压微控制器，省去复杂的驱动电路。同时，超低的栅极电荷确保了极快的开关速度，让您的电源或电机控制响应更加迅捷。无论是空间紧张的便携设备，还是要求长期稳定运行的工业模块，选择DMG3420U-7，就是选择了一份可靠与高效，助您轻松攻克功率密度与性能的双重挑战。

• 型号:DMG3420U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.47A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:434.7 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:740mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMG3420U-7，Diodes产品一站式供应商。