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还在寻找那颗能完美平衡功率与效率的开关器件吗？DMN2015UFDF-13正是为您而来的解决方案。它能让您的电源设计轻松驾驭高达15.2A的电流，同时凭借低至9毫欧的导通电阻，大幅降低开关损耗和发热，直接提升系统整体能效，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

这颗芯片集高效、紧凑与可靠于一身。其快速的开关特性（低栅极电荷）确保响应迅捷，而微小的U-DFN封装则为您节省宝贵的电路板空间。无论是用于同步整流、DC-DC转换还是负载开关，它都能让您高效实现稳定、低温、高功率密度的设计目标，是打造下一代高性能电子设备的理想基石。

• 型号:DMN2015UFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 8.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1439 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN2015UFDF-13，Diodes产品一站式供应商。