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还在为电路板空间紧张和开关效率不高而头疼吗？DMN2016UTS-13双N沟道MOSFET阵列就是为您量身打造的解决方案。它能在紧凑的8-TSSOP封装内，为您提供两路独立的逻辑电平驱动通道，让您轻松实现高效的同步整流、负载切换或电机驱动，大幅节省PCB面积。

这颗芯片的核心价值在于让您的设计更高效、更简洁。其超低的导通电阻（仅14.5毫欧）和栅极电荷，确保了极低的导通与开关损耗，直接提升系统能效，减少发热。同时，1V的低阈值电压让您可以直接用微控制器GP口驱动，省去额外的驱动电路，简化设计流程，加速产品上市。

• 型号:DMN2016UTS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-TSSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.58A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1495pF @ 10V
• 功率 - 最大值:880mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
• 供应商器件封装:8-TSSOP
• DMN2016UTS-13，Diodes产品一站式供应商。