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还在为驱动电路的设计繁琐和性能瓶颈而烦恼吗？DGD2104MS8-13正是您期待的解决方案。这颗高效的半桥栅极驱动器，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，它能以高达600mA/290mA的强劲峰值输出电流，实现快速、干净的开关动作，从而让您的电源转换系统损耗更低、效率更高、运行更凉爽。

它集成了非反相逻辑输入和高达600V的自举电压能力，让您轻松构建可靠的半桥拓扑。其宽广的工作电压范围（10V-20V）和卓越的-40°C至150°C工作温度适应性，确保了在各种严苛环境下的稳定表现。采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装，DGD2104MS8-13让您在节省宝贵PCB空间的同时，获得专业级的驱动性能，是提升电机控制、电源转换等应用竞争力的理想选择。

• 型号:DGD2104MS8-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:0.8V，2.5V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，600mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，35ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DGD2104MS8-13，Diodes产品一站式供应商。