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还在为空间受限的电源设计寻找解决方案吗？DMN2022UFDF-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET能在微型封装内提供高达7.9A的强大电流处理能力，其超低的22毫欧导通电阻能显著减少功率损耗，直接为您带来更高的系统效率和更凉爽的运行温度。

它能让您的设计轻松实现高效的能量转换与精准的功率控制。无论是用于提升便携设备的充电速度，还是优化电机驱动的响应性能，其快速的开关特性和宽广的工作温度范围都能确保稳定可靠的运行。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的核心。

• 型号:DMN2022UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:907 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN2022UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。