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还在为空间有限的PCB板寻找高性能的功率开关解决方案吗？DMN2022UNS-13双N沟道MOSFET阵列正是您的理想之选。它能让您轻松实现高效的同步整流和负载切换，其低至10.8毫欧的导通电阻和高达10.7A的电流处理能力，显著降低功率损耗，提升系统整体能效。

这颗芯片采用超紧凑的PowerDI3333-8封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时其优异的开关特性（栅极电荷仅20.3nC）确保高速开关下的低损耗。无论是用于便携设备的电源管理，还是需要高密度布局的模块设计，它都能让您的产品运行更凉爽、续航更持久、性能更可靠。

• 型号:DMN2022UNS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• DMN2022UNS-13，Diodes产品一站式供应商。