您需要一个在紧凑空间内实现高效功率控制的解决方案吗?DMP2240UW-7正是这样一颗为您量身打造的P沟道MOSFET。它拥有20V的漏源电压和1.5A的连续漏极电流,配合低至150毫欧的导通电阻,能显著降低开关损耗和发热,让您的设备运行更凉爽、更持久。
这颗芯片采用先进的MOSFET技术,具备1.8V的低驱动电压门槛,让您能轻松兼容各类低压控制信号,实现精准高效的电源开关管理。其坚固的SOT-323表面贴装封装,不仅节省板上空间,更能适应自动化生产,助力您快速推进项目。选择DMP2240UW-7,就是选择了一份让设计更简单、让产品更出色的可靠保障。
- 型号:DMP2240UW-7
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-323
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):150 毫欧 @ 2A,4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±12V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):320 pF @ 16 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):250mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-323
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- DMP2240UW-7,Diodes产品一站式供应商。