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还在为空间有限的PCB布局发愁吗？DMN2022UNS-7双N沟道MOSFET阵列是您的理想解决方案。它将两个高性能20V MOSFET集成于微型的PowerDI3333-8封装内，让您轻松实现高密度设计，同时凭借仅10.8毫欧的超低导通电阻，大幅降低开关损耗，提升整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您的负载开关、电源路径管理和电机驱动电路运行得更高效、更冷静。其优异的栅极电荷特性确保了快速的开关速度，而宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则提供了坚实的可靠性保障。选择它，意味着您选择了更精简的物料清单、更简化的热管理设计，以及最终产品更长的续航和更强的竞争力。

• 型号:DMN2022UNS-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.8 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.3nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXB 类）
• DMN2022UNS-7，Diodes产品一站式供应商。