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还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起大电流的MOSFET而烦恼吗？DMN2024UVT-13正是为您而来的解决方案。这颗采用先进TSOT-26封装的双N沟道MOSFET，集成了两个高性能的开关，让您能在指甲盖大小的面积内，轻松实现高达7A的电流控制和20V的电压切换。

它极低的导通电阻（典型值24mΩ）和栅极电荷，能显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计在性能、效率和可靠性上获得全面提升，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:DMN2024UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:647pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• DMN2024UVT-13，Diodes产品一站式供应商。