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还在寻找那颗能让您的便携设备既强劲又冷静的“心脏”吗？DMN2028UFDF-7正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达7.9A的电流处理能力，核心优势在于其惊人的低导通电阻在4.5V驱动下仅25毫欧。这意味着它能以极高的效率导通大电流，将宝贵的电池能量更多地用于驱动负载，而非转化为无谓的热量，让您的产品续航更持久，运行更凉爽。

更令人惊喜的是，它仅需1.5V的低电压即可高效开启，完美适配单节锂电池等低压系统，让您的电源设计变得前所未有的轻松。配合其超低的栅极电荷和紧凑的U-DFN2020-6封装，它不仅能实现高速开关以提升整体能效，还能为您节省板上空间，助力打造更小巧、更精密的终端产品。选择DMN2028UFDF-7，就是为您的设计注入高效与可靠的核心动力。

• 型号:DMN2028UFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:907 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• DMN2028UFDF-7，Diodes产品一站式供应商。