我们为全球各个行业提供Diodes DMN2028UFDH-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的双MOSFET电路布局和散热问题头疼吗？DMN2028UFDH-7为您提供了一站式的高效解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集成了两个逻辑电平驱动的MOSFET于一个微型的8-PowerVDFN封装内，让您轻松实现紧凑、高效的电路设计。

它拥有20V的耐压和6.8A的强大电流处理能力，结合低至20毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关速度，非常适合需要高频切换的汽车LED驱动、电机控制或负载开关应用。

更重要的是，它通过了严苛的AEC-Q101认证，具备从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，为您产品的可靠性和耐用性提供了汽车级的品质背书。选择DMN2028UFDH-7，就是选择让您的设计更简单、性能更强劲、产品更具竞争力。

• 型号:DMN2028UFDH-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）共漏
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:151pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3030-8
• DMN2028UFDH-7，Diodes产品一站式供应商。