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还在为寻找一款既小巧又强效的功率开关而烦恼吗？DMN2028USS-13正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达7.3A的连续电流，凭借其卓越的20毫欧低导通电阻，它能显著减少开关过程中的能量损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它专为空间受限的高性能应用而生，1.5V的低阈值驱动电压让您能用微控制器直接控制，简化电路设计。无论是快速切换的DC-DC转换器，还是精密的负载开关，DMN2028USS-13都能提供稳定可靠的性能，助您轻松打造出更具竞争力的电子产品。

• 型号:DMN2028USS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• DMN2028USS-13，Diodes产品一站式供应商。