我们为全球各个行业提供Diodes DMN2028UVT-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源路径上的效率瓶颈和空间限制烦恼吗？DMN2028UVT-13正是为您破局而来的利器。这颗N沟道MOSFET能为您高效、精准地控制电流通断，其卓越的电气参数6.2A的电流处理能力、仅24毫欧的低导通电阻以及快速的开关特性让您轻松实现更低的功率损耗和更高的系统效率。

无论是用于同步整流、负载开关还是电机驱动，它都能让您的设计性能显著提升。紧凑的TSOT-26封装更让您在有限的板级空间内集成强大功能，简化布局，加速产品上市。选择DMN2028UVT-13，就是选择为您的应用注入一颗强劲而高效的核心。

• 型号:DMN2028UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:856 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN2028UVT-13，Diodes产品一站式供应商。