我们为全球各个行业提供Diodes DMN2028UVT-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限却需要强劲、高效的功率开关而烦恼吗？DMN2028UVT-7正是为您而来的解决方案！这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达6.2A的电流，并以低至24毫欧的导通电阻，显著减少开关损耗，直接为您提升系统能效，让设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用紧凑的TSOT-26封装，完美适配高密度电路板设计，让您在小空间内也能实现大功率控制。无论是驱动电机、管理电源路径还是实现负载开关，其快速的开关特性和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）都能确保稳定可靠的性能，让您的设计脱颖而出，轻松应对各种严苛应用挑战。

• 型号:DMN2028UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:856 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN2028UVT-7，Diodes产品一站式供应商。