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还在为空间有限的电路板寻找强大的“能量开关”吗？DMN2041UFDB-7双N沟道MOSFET阵列，就是为您的高密度设计量身打造的解决方案。它能在仅20V/4.7A的规格下，提供低至40毫欧的优异导通性能，显著减少功率损耗，让您的便携设备续航更持久，运行更凉爽。

这颗芯片能轻松胜任负载开关、电源管理和电机驱动等关键任务。其超快的开关特性（栅极电荷仅15nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保您的产品在各种环境和工况下都高效稳定。选择它，意味着您能以更小的封装获得更强的性能，简化设计，加速产品上市。

• 型号:DMN2041UFDB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:713pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.4W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（B 类）
• DMN2041UFDB-7，Diodes产品一站式供应商。