我们为全球各个行业提供Diodes DMN2041UVT-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间受限的设计中如何实现强大开关功能而头疼吗？DMN2041UVT-7就是您的理想答案。这颗双N通道MOSFET阵列，能轻松为您处理高达5.8A的连续电流，其超低的28毫欧导通电阻让功率损耗大幅降低，直接提升您的系统能效。

它专为高效开关而优化，极低的栅极电荷确保快速的开启与关断，让您的电路响应无比迅捷。无论是用于负载开关、电机驱动还是电源转换，它都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、性能更可靠。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:DMN2041UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 8.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:689pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• DMN2041UVT-7，Diodes产品一站式供应商。