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还在为空间受限的设计中难以实现高效功率切换而烦恼吗？DMN2055U-13正是为您破解这一难题的利器。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达4.8A的连续电流处理能力，却仅占用微小的SOT-23封装面积，让您能在寸土寸金的电路板上轻松实现强大的功率控制。

它的核心魅力在于极高的效率。仅38毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通状态下的功率损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统能效。同时，其优化的栅极特性让开关动作干净利落，无论是用于电源管理、负载开关还是电机驱动，都能让您的设备运行得更快、更冷、更持久。

• 型号:DMN2055U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T\\u0026R 1
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:800mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2055U-13，Diodes产品一站式供应商。