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还在寻找一颗能完美融入您紧凑设计的高性能开关？DMN63D8LW-7正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和380mA的连续电流能力，凭借其低至2.5V的驱动电压，能让您轻松地用微控制器直接驱动，高效完成各种开关与控制任务。

它采用超小的SOT-323封装，为您节省宝贵的PCB空间，同时其优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）确保了快速响应与低功耗，让您的设备运行更高效、更持久。无论是电池供电的便携设备，还是空间受限的智能模块，它都能可靠工作，助您轻松实现设计目标。

• 型号:DMN63D8LW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):380mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 250mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:23.2 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN63D8LW-7，Diodes产品一站式供应商。