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还在为空间紧张的低压开关电路寻找一颗“得力干将”吗？DMN2056U-13就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET专为高效、紧凑的应用而设计，它能以极低的导通电阻（仅38mΩ）处理高达4A的电流，让您的电源路径管理或电机驱动方案能量损耗大幅降低，运行更凉爽、更持久。

它拥有1.5V的低开启电压，让您能轻松使用微控制器直接驱动，实现精准快速的开关控制。同时，其超低的栅极电荷确保了极高的开关频率，进一步提升系统整体效率。所有这些强大功能，都被集成在微小的SOT-23-3封装中，完美适配您的空间极限设计。

• 型号:DMN2056U-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:339 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2056U-13，Diodes产品一站式供应商。