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您正在寻找一颗能轻松驾驭30V电压、7.2A大电流的功率开关吗？ZXMN3B04N8TA N沟道MOSFET就是为您而来的高效解决方案。它凭借低至25毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高，直接助力延长电池续航或降低散热成本。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电机驱动响应更迅捷，让电源管理模块的转换效率再上一个台阶。其2.5V的低阈值驱动电压，让您能轻松兼容各类微控制器GPIO口，简化电路设计。无论是空间紧张的便携设备，还是环境复杂的工业控制，其坚固的性能和表面贴装封装都能让您部署无忧，高效实现设计目标。

• 型号:ZXMN3B04N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2480 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXMN3B04N8TA，Diodes产品一站式供应商。