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还在为有限的PCB空间无法容纳强大功率处理能力而烦恼吗？DMN2056U-7正是为您破解这一难题而生。这颗N沟道MOSFET在微小的SOT-23-3封装内，集成了20V耐压和高达4A的连续电流处理能力，其超低的38毫欧导通电阻（@4.5V Vgs）能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

它能让您轻松驾驭从电池保护、负载开关到DC-DC转换器同步整流等多种应用场景。更低的栅极电荷（仅4.3nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动功耗，让您的设计响应更迅捷，运行更清凉。无论是追求长续航的便携设备，还是要求高可靠性的工业模块，DMN2056U-7都能以稳定高效的表现为您的产品增值。

• 型号:DMN2056U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:339 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2056U-7，Diodes产品一站式供应商。