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还在为寻找一颗既能承载大电流又足够小巧高效的MOSFET而烦恼吗？DMN3008SFG-7正是您的理想解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达17.6A的连续电流，其超低的4.6毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，直接提升您系统的整体能效和续航能力。

它专为要求苛刻的开关应用而生。无论是同步整流、电机驱动还是负载开关，其快速的开关特性和高达30V的耐压，都能确保响应迅捷、运行稳定。采用紧凑的PowerDI3333-8封装，让您在有限的空间内实现强大的功率控制，设计更灵活，产品更具竞争力。

• 型号:DMN3008SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.6 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:86 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3690 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN3008SFG-7，Diodes产品一站式供应商。