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还在为电源管理模块的效率瓶颈和空间占用而烦恼吗？DMN2058U-7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MOSFET技术的N沟道晶体管，能轻松承载高达4.6A的电流，并以低至35毫欧的导通电阻，大幅减少开关过程中的能量损耗，直接提升您的终端设备续航能力和运行效率。

它专为空间受限的高性能应用设计，微小的SOT-23-3封装让您能在电路板上实现更紧凑的布局。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和优异的电气特性，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。选择它，就是为您的设计选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:DMN2058U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.6A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:281 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.13W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2058U-7，Diodes产品一站式供应商。