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DMP3099LQ-13 零件图片(仅供参考)

DMP3099LQ-13
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DMP3099LQ-13 规格参数

还在为空间有限的PCB板寻找一颗既强效又可靠的功率开关吗?DMP3099LQ-13正是为您而来的解决方案。这颗P沟道MOSFET能轻松承载高达3.8A的电流,并以低至65毫欧的导通电阻,显著降低开关损耗,让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为严苛环境而生,符合汽车级AEC-Q101标准,工作温度范围宽达-55°C至150°C,确保在各类挑战性应用中稳定如一。其SOT-23微型封装和低至4.5V的驱动电压,让您能轻松将其集成到便携设备、车载电子或工业控制系统中,简化设计并提升整体可靠性。选择它,就是选择了一份让电源管理更省心、更高效的专业保障。

  • 型号:DMP3099LQ-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T\\u0026R
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):65 毫欧 @ 3.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):11 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):563 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.08W
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • DMP3099LQ-13,Diodes产品一站式供应商。
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DMP3099LQ-13 基本参数:

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