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还在为空间有限的电路板寻找一颗强劲又小巧的“开关”吗？DMN2065UWQ-7正是为您量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在仅1.5V的低驱动电压下高效导通，轻松处理高达3.1A的连续电流，是便携设备电源管理和电机驱动的理想核心。

它凭借低至56毫欧的导通电阻和微小的栅极电荷，能显著降低开关损耗和发热，让您的产品运行更凉爽、续航更持久。其坚固的SOT-323封装和宽广的工作温度范围，确保了在各种应用环境下的卓越可靠性。选择它，就是选择了一种让设计更简单、让性能更出众的轻松方式。

• 型号:DMN2065UWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.1A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
• DMN2065UWQ-7，Diodes产品一站式供应商。