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还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的“开关大师”吗？DMN2112SN-7正是您期待的解决方案！这颗N沟道MOSFET能轻松胜任1.2A电流、20V电压的开关控制任务，其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，直接为您带来更长的设备续航和更低的发热。

它拥有极低的驱动电压，让您可以直接用微控制器轻松驱动，简化电路设计。同时，其微小的SC-59-3封装能让您在高密度PCB布局中游刃有余，大幅节省宝贵空间。无论是用于便携设备、智能传感器还是各类电源管理模块，DMN2112SN-7都能以稳定的性能和高效的切换，让您的产品运行得更顺畅、更可靠。

• 型号:DMN2112SN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2112SN-7，Diodes产品一站式供应商。