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还在为空间有限的PCB板寻找一颗高效能的开关吗？DMN2114SN-7正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它能让您轻松实现高达1.2A电流、20V电压的负载高效切换，其极低的导通电阻（典型100毫欧）意味着更少的能量损耗和更长的设备续航，让您的设计在性能和能效上双双胜出。

得益于其紧凑的SC-59-3封装和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），这颗芯片能轻松集成到各类便携式、空间受限的应用中，如智能穿戴、手持设备或IoT模块。其低栅极驱动电压特性（Vgs(th)最大1.4V）让它可以被大多数微控制器直接驱动，简化您的电路设计，助您快速、高效地将创意转化为可靠的产品。

• 型号:DMN2114SN-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SC-59-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:180 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-59-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2114SN-7，Diodes产品一站式供应商。