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还在为有限的PCB空间和苛刻的能效要求发愁吗？让DMN3026LVTQ-7来为您解决！这颗N沟道MOSFET是专为高效、紧凑型应用而生的功率开关核心。它能在仅4.5V的低驱动电压下高效导通，轻松处理高达6.6A的连续电流，而其超低的23毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，直接为您带来更凉爽的运行温度和更长的设备续航。

它采用微型的TSOT-26表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，非常适合集成到空间受限的便携式设备中。无论是用于电源路径管理、电机控制还是DC-DC转换，DMN3026LVTQ-7都能让您的设计更高效、更可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:DMN3026LVTQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:643 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• DMN3026LVTQ-7，Diodes产品一站式供应商。