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还在为电路板空间捉襟见肘而发愁吗？DMN5L06VK-7双N沟道MOSFET就是您的高密度设计解决方案。它采用微型SOT-563封装，却集成了高达50V的耐压和280mA的驱动能力，让您能在方寸之间轻松实现高效的信号切换与负载控制。

这颗芯片专为逻辑电平驱动优化，仅需5V电压即可实现低至2欧姆的导通电阻，极大降低了功率损耗和发热。其卓越的开关特性与宽广的工作温度范围，确保您的产品无论是用于便携设备、物联网模块还是工业控制，都能获得稳定可靠的性能表现，助您轻松打造更具竞争力的电子产品。

• 型号:DMN5L06VK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-563
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:50V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):280mA
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 50mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 25V
• 功率 - 最大值:250mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-563，SOT-666
• 供应商器件封装:SOT-563
• DMN5L06VK-7，Diodes产品一站式供应商。