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还在寻找那颗能兼顾高效能与小体积的“核心开关”吗？DMN2230U-7正是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您做什么？它让您轻松实现高达2A的电流开关控制，其极低的导通电阻（仅110毫欧@4.5V）意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接提升您终端产品的能效与可靠性。

无论是为便携设备设计精巧的电源路径管理，还是驱动小型电机、实现快速的负载切换，它20V的耐压和宽泛的工作温度范围都能提供坚实的保障。采用标准的SOT-23-3封装，让您高效利用宝贵的PCB空间，简化布局与生产。选择它，就是选择让您的设计更紧凑、运行更高效、市场竞争力更强。

• 型号:DMN2230U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:188 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN2230U-7，Diodes产品一站式供应商。