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还在为寻找一颗能在狭小空间内处理大电流，同时保持冷静高效的开关器件而烦恼吗？DMN22M5UFG-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有20V的耐压和高达27A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅2.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，直接提升您的终端产品的整体能效和续航时间。

它采用先进的PowerDI3333封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了电路板空间，让您的设计更加紧凑。无论是用于汽车级的DC-DC转换、电机控制，还是消费电子中的电源管理和负载开关，它都能让您轻松应对高电流挑战。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）和AEC-Q101认证，更确保了在严苛环境下的卓越可靠性，让您的产品性能稳如磐石。

• 型号:DMN22M5UFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 27A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 13.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:99 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3926 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• DMN22M5UFG-7，Diodes产品一站式供应商。