我们为全球各个行业提供Diodes DMN2300UFL4-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗既能节省空间又能扛起功率切换重任的MOSFET而烦恼吗？DMN2300UFL4-7正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET集高性能与微型封装于一身，让您轻松驾驭高达2.11A的电流，同时凭借低至195毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，提升系统整体能效。

它专为空间受限的高效应用而优化。无论是管理便携设备的电源路径，快速切换车载电子模块的负载，还是驱动紧凑型IoT设备中的各类功能，其快速的开关特性和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）都能确保稳定可靠的运行。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:DMN2300UFL4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1310-6（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.11A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:195 毫欧 @ 300mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.2nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:128.6pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.39W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-XFDFN 焊盘
• 供应商器件封装:X2-DFN1310-6（B 类）
• DMN2300UFL4-7，Diodes产品一站式供应商。