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您正在设计需要精密电源管理或信号切换的紧凑型电子产品吗？DMN2400UFDQ-7就是为您量身定制的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在20V电压和900mA电流下高效工作，其超低的导通电阻和栅极电荷能显著减少开关损耗，让您的设备能效更高、续航更久。

它采用微型的3DFN表面贴装封装，能轻松融入空间极度受限的PCB布局中，是便携设备、可穿戴产品和物联网节点的理想选择。宽广的工作温度范围确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行，让您的设计无惧挑战，轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。

• 型号:DMN2400UFDQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:37 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN1212-3（C 类）
• 封装/外壳:3-PowerUDFN
• DMN2400UFDQ-7，Diodes产品一站式供应商。