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还在寻找一颗能轻松驾驭便携设备功率开关任务的微型MOSFET吗？DMN2450UFD-7正是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET拥有20V耐压和900mA的连续电流能力，凭借其低至600毫欧的导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为高效而生。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，非常适合空间受限的DC-DC转换、负载开关或信号路径管理应用。采用紧凑的3DFN封装，它能轻松融入高密度设计，同时宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）为您提供了从消费级到工业级的可靠保障。选择它，让您的设计在性能与尺寸之间获得完美平衡。

• 型号:DMN2450UFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:52 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:400mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
• DMN2450UFD-7，Diodes产品一站式供应商。