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您正在为寻找一颗高效、可靠且节省空间的功率开关而烦恼吗？DMN24H11DS-7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有240V的高耐压和270mA的连续电流能力，让您能轻松驾驭从车载电子到便携设备的各类开关与控制应用。

它采用先进的MOSFET技术，在10V驱动电压下导通电阻低至11欧姆，结合极低的栅极电荷，能显著提升开关速度并降低功耗，让您的系统运行更加高效、节能。其超小的SOT-23封装，为您释放宝贵的PCB空间，实现更紧凑优雅的设计。

更重要的是，它通过了严苛的AEC-Q101车规认证，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种恶劣环境下依然稳定如一。选择DMN24H11DS-7，就是为您的产品选择了一份坚实的性能保障与卓越的可靠性。

• 型号:DMN24H11DS-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:76.8 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:750mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN24H11DS-7，Diodes产品一站式供应商。