我们为全球各个行业提供Diodes DMN24H11DSQ-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与可靠性的核心器件？DMN24H11DSQ-7正是为您而来。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有240V的高耐压和仅11欧姆的低导通电阻，让您在设计电源管理、电机驱动或信号开关电路时，能显著降低导通损耗，提升整体系统效率。

它采用车规级AEC-Q101标准打造，具备从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保您的产品即使在极端环境下也能稳定运行，可靠性毋庸置疑。紧凑的SOT-23封装为您节省宝贵的电路板空间，而优化的栅极电荷特性则让开关动作更加迅速、精准。选择它，就是为您的应用注入一颗强劲而稳健的“心脏”。

• 型号:DMN24H11DSQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:240 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):270mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 欧姆 @ 300mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:76.8 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:750mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• DMN24H11DSQ-7，Diodes产品一站式供应商。