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还在为空间有限的PCB布局发愁吗？DMN2500UFB4-7正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET就像一个高效、敏捷的“电流守门员”，能在1.8V至4.5V的低驱动电压下迅速响应，以最低仅400毫欧的导通电阻，让电流顺畅通过，极大减少开关损耗，直接提升您的系统能效。

它专为节省每一毫米空间而设计，采用超小的3DFN封装，却拥有高达810mA的连续电流处理能力和460mW的功率耗散能力。这意味着您可以在智能手表、TWS耳机、便携式传感器等对体积和功耗极度敏感的设备中，轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和电机驱动，让您的产品设计更紧凑，运行更持久、更凉爽。

• 型号:DMN2500UFB4-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 810MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):810mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 600mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.74 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±6V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:60.67 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
• DMN2500UFB4-7，Diodes产品一站式供应商。