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DMN2500UFB4-7B 零件图片(仅供参考)

DMN2500UFB4-7B
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DMN2500UFB4-7B 规格参数

您是否正在寻找一颗能显著提升电路效率、同时最大限度节省板级空间的MOSFET?DMN2500UFB4-7B正是为您而来的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET,采用经典的SOT23封装,是专为高密度、便携式设备设计的功率管理明星。

它能让您轻松实现高效的负载开关和电源路径管理,显著降低导通损耗,从而延长电池续航。无论是用于DC-DC转换、电机驱动还是各类信号切换,它都能提供稳定可靠的性能,让您的设计更高效、更紧凑。选择它,就是为您的产品注入一颗强劲而精巧的“心脏”。

  • 制造商产品型号:DMN2500UFB4-7B
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH SOT23
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:*
  • 零件状态:有源
  • FET类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
  • DMN2500UFB4-7B,Diodes产品一站式供应商。
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DMN2500UFB4-7B 基本参数:

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